山东师范大学

    随着信息技术数据的发展，数据已经成为课堂互联网的新油的新资产。存储数据的介质变得越来越重要。在信息存储设备中，数据被存储在电子自旋和电子电荷的术语。在本讲座中，我将讨论搜索有我所用的超高密度磁记录介质，磁性随机存取存储器和电场控制的节能性存储器中的纳米材料组。用于高密度磁性记录介质和磁性随机存取存储器的应用，我们的研究集中于高各向异性磁性材料的开发 - 1 10 FePtwith磁各向异性是高达7×107erg / cm3时，它允许存储密度是一样高达50吨比特/ in2.Through的材料和结构设计，纳米结构的FePt薄膜已被开发，以满足工业的所有要求。例如，对于下一代磁记录媒体 - 加热辅助磁性介质应用的FePt的，FePt的薄膜具有均匀晶粒尺寸小（5nm）的，（001）织构和高各向异性的开发。对于MRAM的应用程序，获得超薄的FePt薄膜（1纳米）和（001）的质地和高各向异性。为节能存储器，电压（电场），而目前的CMOS中使用的和硬盘驱动器是用来写入data.In这一部分，崴讨论基于铁电隧道结的新出现的信息存储技术相结合的电场书写和耐阅读。强电介质隧道结研制成功在硅基板和写入速度，耐力和疲劳将被讨论。

    陈景升，教授，新加坡国立大学材料科学工程系。1999年至2001年在新加坡南洋理工大学电子电器工程学院做博士后工作；2001年至2007年任新加坡国家数据存储研究院主任工程师，四级科学家；2007年至今，在新加坡国立大学材料科学工程系工作。陈教授主要从事纳米磁性材料的信息存储材料与器件、电子强关联氧化物多铁性材料、自旋电子学、纳米团簇的光学和磁学性质等领域的研究。自2008年,已获得由世界上最大的硬盘公司美国希捷技术超过100万美元的赞助，开发的多项技术应用在希捷产品上，并获得了新加坡科学技术部、教育部和国家研究基金会超过1200万新加坡元的资助。陈教授目前正在领导一项900万新加坡元的项目，开发低功耗信息存储器。陈教授是新加坡SG-SPIN联盟管理委员会成员。目前已发表SCI收录论文200多篇，出版3本科技书籍，申请国际发明专利10项，多次在国际会议上做邀请报告，H指数为24。2004年获得陈嘉庚青年发明奖；2005年获得国家数据存储研究院杰出奖。